Az várható Samsung A jövő héten bejelenti a 3 nm-es chipek tömeggyártásának megkezdését – számol be a Yonhap News. Ezzel a cég megelőzi a TSMC-t, amely várhatóan az idei év második felében kezdi meg a 3 nm-es chipek gyártását.
Az 5 nm-es eljáráshoz képest (amit a Snapdragon 888 és az Exynos 2100 esetében használtak) a Samsung 3 nm-es csomópontja 35%-kal csökkenti a területet, 30%-kal növeli a teljesítményt és 50%-kal csökkenti az energiafogyasztást.
Ez a Gate-All-Around (GAA) tranzisztoros tervezésre való átállással érhető el. Ez a következő lépés a FinFET után, mivel lehetővé teszi a tranzisztorok méretének csökkentését anélkül, hogy az áramvezetési képességüket veszélyeztetné. A 3 nm-es csomóponton használt GAAFET kialakítás az alábbi ábrán látható.
Joe Biden amerikai elnök a múlt hónapban meglátogatta az üzemet Samsung Pyeongtaekben, hogy részt vegyen a 3 nm-es technológia bemutatóján Samsung. Tavaly olyan pletykák voltak, hogy a cég 10 milliárd dollárt fektethet be egy 3 nm-es öntöde építésére Texasban. Ezek a beruházások 17 milliárd dollárra nőttek.Az üzem várhatóan 2024-ben kezdi meg működését.
Mindenesetre a legnagyobb gond egy új csomópont létrehozásakor a kimenet. Tavaly októberben Samsung kijelentette, hogy a 3 nm-es eljárás teljesítménye "a 4 nm-es eljárással megegyező szintet közelít". Bár a cég nem mutatott be hivatalos adatokat, az elemzők úgy vélik, hogy a 4 nm-es csomópont Samsung termelési problémákkal járt.
A második generációs 3 nm-es csomópont 2023-ban várható, és a cég ütemterve 2-ben egy 2025 nm-es MBCFET alapú csomópontot is tartalmaz.
Segíthet Ukrajnának az orosz megszállók elleni küzdelemben. Ennek legjobb módja, ha adományokat adományoz az ukrán fegyveres erőknek ezen keresztül Savelife vagy a hivatalos oldalon keresztül NBU.
Olvassa el még:
- Felülvizsgálat Samsung Galaxy S21 FE 5G: most határozottan a rajongók zászlóshajója
- Felülvizsgálat Samsung Galaxy Tab S7 FE: Meglepően okos kompromisszum