Japán mikroáramkörök gyártója Kioxia fejlett flash memória NAND körülbelül 170 réteggel, csatlakozva amerikai megfelelőjéhez, a Micron Technology-hoz és a dél-koreai SK Hynixhez a fejlett technológiák fejlesztésében.
Az új NAND memóriát egy amerikai partnerrel közösen fejlesztették ki Western Digital és kétszer olyan gyorsan tud adatot rögzíteni, mint a Kioxia jelenlegi csúcsterméke, amely 112 rétegből áll.
A korábban Toshiba Memory néven ismert Kioxia az International Solid State Conference-en, a félvezetőipar éves globális fórumán tervezi bemutatni új NAND-jét, és már jövőre megkezdi a tömeggyártást.
Az adatközpontok és okostelefonok iránti igény kielégítését reméli, mivel az ötödik generációs vezeték nélküli technológiák elterjedése az adatátvitel mennyiségének és sebességének növekedéséhez vezet. De a verseny ezen a téren már most kiéleződik: a Micron és az SK Hynix bejelenti új termékeit.
A Kioxiának sikerült rétegenként több memóriacellát is elhelyeznie az új NAND-jával, ami azt jelenti, hogy 30%-kal kisebb chipeket tud készíteni, mint más, ugyanannyi memóriával rendelkezők. A kisebb mikroáramkörök nagyobb rugalmasságot tesznek lehetővé okostelefonok, szerverek és egyéb termékek létrehozásában.
A flash memória termelésének növelése érdekében a Kioxia és a Western Digital idén tavasszal egy 9,45 milliárd dolláros üzem építését tervezi a japán Yokkaidóban. Céljuk, hogy az első vonalakat már 2022-ben üzembe helyezzék.
Olvassa el még: